Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BCR 108 B6327
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BCR 108 B6327-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12840301
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BCR 108 B6327 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
170 MHz
Мощность - Макс
200 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Базовый номер продукта
BCR 108
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BCR 108 B6327
HTML Спецификация
BCR 108 B6327-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30,000
Другие названия
BCR108B6327
BCR 108 B6327-DG
SP000056348
BCR108B6327XT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
DTC123JKAT146
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
154870
Номер части
DTC123JKAT146-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PDTC123ET,215
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20221
Номер части
PDTC123ET,215-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
MMUN2214LT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
90855
Номер части
MMUN2214LT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
MMUN2231LT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
38914
Номер части
MMUN2231LT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PDTC123JT,235
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
100681
Номер части
PDTC123JT,235-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MUN2137T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
MUN5137T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
DTC143EM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
MMUN2231LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3